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centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150
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centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150

Activator150系列的产品可以实现生长石墨烯生长。通过碳化硅升华生长石墨层可以获得高性能器件。***SiC工艺炉管的研发用以满足新兴的150毫米SiC工艺。Activator150-5是为研发工作而***的,而Activator150-50专为大批量生产设计。

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加工定制:是品牌:Centrotherm型号: 高温退火/氧化系统-Activator/Oxidator 150
用途:为研发工作而***的,而Activator 150-50专为大批量生产设计。订货号:111111货号:111111
别名:退火炉,扩散炉,氧化炉规格:200*300是否跨境货源:否

centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150详细介绍

centrotherm   SiCGaN退火及石墨烯生长 Activator150


centrotherm Activator 150 高温炉生产线专为硅-碳化合物(SiC)或镓-氮化合物(GaN) 设备的后植入烧结而设计开发。Activator 150 可用于多种类型炉体, 如研发炉和批量生产炉, 且处理灵活性高。centrotherm 的无金属加热装置的独特设计允许处理温度高达 1850 °C 同时缩短了工艺循环时间。由于占据空间小、购置成本低,所以 Activator 150 可实现生产具有成本效益。

 

特点:

高活化率

表面粗糙程度最小

温度达 1850°C

批量规模高达 50硅片(150mm

加热率达 150 K/min

通过SiH4可实现硅“过压

 

 

 

Centrotherm 小批晕生产用垂直炉管CLV200,科研专属

CLV200 小批晕生产用垂直炉管

I 适用于砫衬底的半导体集成电路的生产

 

centrotherm C LV 200 是一个独立的小批量晶圆 生产设备,能实现各项热处理工艺,适用于少量生产及 研发。

cent rot herm 工艺反应 腔体及加热系统有着独特的设计, 升温至 11 00 摄氏度。由于一炉尺寸较小(一批至多 50 片晶圆), CLV 200 炉管能提供 非常灵活的常压及低压工艺,降低顾客研发费用。

cent rot herm 的设计在高效, 低耗上非常出色, 同时也具备了生产各种半导体器件的工艺灵活性。

 

常压工艺退火

氧化

扩散LPCVD PECVD

 温度可达 11 00° C

净化间占用面积小 [1.6 m叮

批量生产 100 mm 至200 mm 晶圆售 一批可处理 50 片晶圆

全自动 cassette -to-cassette 传片

 

 

 


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