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对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700
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对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700

等离子密度与向基板入射的能量能够单独控制,因此Processwindow宽。均一性好。离子性蚀刻到radical性蚀刻都能都大幅度控制。构造简单,维护性能优越。来自半导体技术研究所的工艺支持体制。

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加工定制:是品牌:日本UlVAC爱发科型号:对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700
用途:对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700订货号:111111货号:111111
别名:对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700规格:111是否跨境货源:否

对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700详细介绍

量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800

 

量产用刻蚀设备NE-5700/NE-7800是可以对应单腔及多腔、重视性价比拥有扩展性的刻蚀设备。


 

产品特性 / Product characteristics

 除单腔之外,另可搭载有磁场ICP(ISM)或NLD等离子源、去胶腔体、CCP腔体等对应多种刻蚀工艺。

为实现制程再现性及安定性搭载了星型电极及各种调温技能。

拥有简便的维护构造,实现downtime***化,提供清洗、维护及人员训练服务等综合性的售后服务体制。

专门的半导体技术研究所会提供万全的工艺支持体制。

 

产品应用 / Product application

化合物(LED或LD、高频器件)或Power device(IGBT配線加工、SiC加工)。

金属配线或层间绝缘膜(树脂类)、门电极加工工艺

强电介质材料或贵金属刻蚀。

磁性体材料加工。

 

 

高密度等离子刻蚀装置ULHITETM NE-7800H

 

高密度等离子客户装置ULHITE NE-7800H是对应刻蚀FeRAM、MRAM、ReRAM、PCRAM等器件所用的高难度刻蚀材料(强电介质层、贵金属、磁性膜等)的Multi-Chamber型低压高密度等离子刻蚀设备。

 


 

产品特性 / Product characteristics

有磁场ICPISM)方式-可产生低圧?高密度plasma、为不挥发性材料加工的专用设备。

可提供对应从常温到高温(400?C)的层积膜整体刻蚀、硬掩膜去除的刻蚀解决方案。

通过从腔体到排气lineDRP为止的均匀加热来防止沉积物。

该设备采用可降低养护清洗并抑制partical产生的构造和材料及加热机构,是在不挥发性材料的刻蚀方面拥有丰富经验的量产装置。

实现了长期的再现性、安定性

 

产品应用 / Product application

   FeRAM, MRAM, ReRAM, CBRAM, PcRAM.

 

 

研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570

 

研究开发向NLD干法刻蚀设备NLD-570,是搭载了爱发科***的磁性中性线(NLD- neutral loop discharge)等离子源的装置,此NLD技术可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子。


 

产品特性 / Product characteristics

   NLD用于与ICP方式相比***压、高密度、***电子温度等离子体的石英、玻璃、水晶、LN/LT基板的加工。

 高硬玻璃、硼硅酸玻璃等不纯物的多种玻璃加工,在形状或表面平滑性方面有优异的刻蚀性能。

 石英及玻璃作为厚膜resist mask时的也可实现深度刻蚀(100μ m以上)。

 可实现高速刻蚀(石英>1μ m/minPyrex0.8μ m/min

 可追加cassette室。

 

产品应用 / Product application

  光学器件(光衍射格子、変调器、光开关等等)、凹凸型微透镜。流体路径作成或光子学结晶。

 

 

干法刻蚀设备 APIOS NE-950EX

对应LED量产专用的干法刻蚀设备?NE-950EX?相对我司以往设备实现了140%的生产力。是搭载了ICP高密度等离子源和爱发科独自开发的星型电极的干法刻蚀设备。


 

产品特性 / Product characteristics

  4inch晶圆可放置7片同时处理,6inch晶圆可实现3片同时处理,小尺寸晶圆方面,2inch晶圆可实现29片、3英寸可对应12片同时处理。

 搭载了在化合物半导体领域拥有600台以上出货实绩的有磁场ICP(ISM)高密度等离子源。

 高生产性(比以前提高140%)。

  为防止RF投入窗的污染待在了爱发科独自开发的星型电极。

 ******Depo对策,实现了维护便利、长期稳定、高信赖性的硬件。

 拥有丰富的工艺应用的干法刻蚀技术(GaN蓝宝石、各种metal、ITO、SiC、AlN、ZnO、4元系化合物半导体)。

 丰富的可选机能。

 

产品应用 / Product application

对应LED的GaN、蓝宝石、各种金属、ITO等的干法刻蚀设备

 

对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700

 

对应光学器件、MEMS制造的干法刻蚀装置NLD-5700是搭载了磁性中性线(NLD- neutral loop discharge)等离子源的量产用干法刻蚀装置。(此爱发科***的NLD技术设备可实现产生低压、低电子温度、高密度的等离子)


 

产品特性 / Product characteristics

 ?      在洁净房内作业可扩张为双腔。(可选配腔室:NLD、有磁场ICP、CCP或者去胶室)

? NLD为时间空间可控的等离子,因此设备干法清洁容易。

? 腔体维护简便。

? 从掩模刻蚀到石英、玻璃刻蚀,可提供各类工艺解决方案。

? 专门的半导体技术研究所会提供万全的工艺支持体制。

 

产品应用 / Product application

? 光学器件(折射格子、光波导、光学开关等等)、凹凸型微透镜。

? 流体路径作成或光子学结晶。

 

 

批处理式自然氧化膜去除设备 RISE-300

批处理式自然氧化膜去除设备RISETM-300是用于去除位于LSI的Deep-Contact底部等难以去除的自然氧化膜的批处理式预清洗装置。可处理200mm,300mm尺寸晶圆。


 

产品特性 / Product characteristics

? 高产率以及低CoO

? 良好的刻蚀均一性(小于±5%/批)和再现性

? 干法刻蚀

? Damage-Free(远端等离子、低温工艺)

? 自对准接触电阻仅为湿法的1/2

? 灵活的装置布局

? 高维护性(方便的侧面维护)

? 300mm晶圆批处理:50枚/批

 

产品应用 / Product application

? 自对准接触形成工艺前处理

? 电镀工艺前处理

? 晶膜生长前处理

? Co/Ni自对准多晶硅化物的前处理


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