| 产品特性：EBL | 加工定制：是 | 品牌：日本CRESTEC |
| 型号：电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 | 用途：电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 | 订货号：电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 |
| 货号：电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 | 别名：电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 | 规格：电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 |
| 是否跨境货源：否 |
电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography)
电子束直写系统 、 电子束曝光系统
CABL-9000C series
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪纳米科技提供*** 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。
型号包括CABL-9000C系列、CABL-9000TF系列、8000TF系列、CABL-4200LB及CABL-4200LB。其中CABL-9000C系列最小线宽可达8nm，最小束斑直径2nm，套刻精度 20nm(mean+2σ)，拼接精度 20nm(mean+2σ)。
技术参数：
1.最小线宽：小于10nm（8nm available)
2.加速电压：5-50kV
3.电子束直径：小于2nm
4.套刻精度：20nm(mean+2σ)
5.拼接精度：20nm(mean+2σ)
6.加工晶圆尺寸：4-8英寸(standard)，12英寸(option)
7.描电镜分辨率：小于2nm
主要特点：
1.采用高亮度和高稳定性的TFE电子枪
2.***电子束偏转控制技术
3.采用场尺寸调制技术，电子束定位分辨率（address size)可达0.0012nm
4.采用轴对称图形书写技术，图形偏角分辨率可达0.01mrad
5.应用领域广泛，如微纳器件加工，Si/GaAs 兼容工艺，研究用掩膜制造，纳 米加工（例如单电子器件、***器件制作等），高频电子器件中的混合光刻（Mix & Match），图形线宽和图形位移测量等。
***分辨率电子束光刻EBL
Ultrahigh Resolution EB Lithography (CABL-UH series)
纳米光刻技术在微纳电子器件制作中起着关键作用,而电子束光刻在纳米光刻技术制作中是的方法之一。日本CRESTEC公司为21世纪***纳米科技提供*** 的电子束纳米光刻（EBL）系统，或称电子束直写（EBD）、电子束爆光系统。
***分辨率的电子束光刻CABL-UH系列的型号包括：
CABL-UH90 (90keV) 、CABL-UH110 (110keV) 、CABL-UH130 (130keV)
技术参数：
加速电压：130keV
单段加速能力达到130keV，尽量减少电子枪的长度
超短电子枪长度，无微放电
电子束直径＜1.6nm
最小线宽＜7nm
双热控制，实现超稳定直写能力
