| 产品特性：EBL | 加工定制：是 | 品牌：日本CRESTEC |
| 型号：电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 | 用途：电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 | 订货号：电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 |
| 货号：电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 | 别名：电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 | 规格：电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统 |
| 是否跨境货源：否 |
***分辨率的电子束光刻 CABL-UH 系列的型号包括：
CABL-UH90 (90keV) 、CABL-UH110 (110keV) 、CABL-UH130 (130keV)
技术参数：
加速电压： 130keV
单段加速能力达到 130keV，尽量减少电子枪的长度超短电子枪长度，无微放电
电子束直径＜1.6nm 最小线宽＜7nm
双热控制，实现超稳定直写能力
CABL-UH（130kV）系列
由于较高的加速电压，EB抗蚀剂的前向散射较小。 CABL-UH模型的准确度低于10 nm。您可以根据自己的需要选择90kV，HOkV或130kV。
光束直径：<1.6nm①
最小线宽：7 nm（在130kV时）
加速电压：130 kV，110 kV或90 kV
载物台尺寸：8英寸晶圆（可以使用少于8英寸晶圆的任何其他晶圆）
我的特色
?Vacc：130kV（25-130kV，5kV步进）
?单级加速能力高达130kV，以最小化EOC尺寸
?无放电电子枪
?光束直径：> 1.6nm
?细线能力：<7nm
?发射极和阳极之间的静电透镜设计为在消隐电极的中心实现非常低的像差和近距离交叉图像
?使用双热控制器实现超稳定的写入能力
I规格
电子发射器/
加速电压TFE（ZrO / W）Z25?130kV
最小光束直径/
最小线宽1.6nm / 7.0nm
扫描方式矢量扫描（x，y）（标准）
矢量扫描（r，6），光栅扫描，点扫描（可选）
***光刻功能（可选）场尺寸调制光刻，轴向对称图案光刻
字段大小30 pmZ、60pmZ、120prr）Z，SOOpmZ，600pm3（标准）1200pmZi，2400pmZi（可选）
20,000 x20,000点，60,000 x 60，OO点，96,000 x 96，OO点，
像素数240,000x 240，OO点?矢量扫描（标准）
10,000xl0,000dot @ R3Ster扫描（可选）
最小地址大小10nm @ 600pmZfield，2nm @ 120pmZfield（标准）
0.0012nm@600pmZfield（可选）
尺寸为4、6、8英寸的工件>（其他尺寸和其他形状的工件可以通过我们的灵活装置安装）
■拼接业纭苏?50nm（3u）@ 600pmZ，20nm（2a）@ 60pmZ
重叠精度50nm（3o）@ 600pmZ
CAD软件专用CAD（标准），GDS n转换（可选），DXF转换（可选）
操作系统Windows
