| 产品特性：ALD | 加工定制：是 | 品牌：PICOSUN |
| 型号：PICOSUN原子层沉积系统ALD | 用途：PICOSUN原子层沉积系统ALD | 订货号：PICOSUN原子层沉积系统ALD |
| 货号：PICOSUN原子层沉积系统ALD | 别名：PICOSUN原子层沉积系统ALD | 规格：PICOSUN原子层沉积系统ALD |
| 是否跨境货源：否 |
PICOSUN原子层沉积系统ALD R-200基础版
（PICOSUN? ALD R-200 Standard）
名称：原子层沉积系统 产地：芬兰
Picosun简介
Picosun是yi家全球公司，Picosun的总部位于芬兰的Espoo，其生产设施位于芬兰的Masala（Kirkkonummi）。PICOSUN?ALD设备专为高产量和高产量而设计，并且不断发展以提高效率。Picosun适应性强其客户包括zui 大的电子制造商，小型的创新型挑战者以及全球ling先的大学。 Picosun的组织机构和种类繁多的ALD解决方案都可以满足每个客户的需求。PICOSUN?研发工具具有du特的内置可扩展性，可确保将研究结果平稳过渡到大批量工业制造中，而不会出现技术差距。Picosun的热情在于创新。当您想与设备制造商共同创建定制的ALD解决方案，从而引ling行业发展时，Picosun是您的合作伙伴。
Picosundu特的突破性ALD专业知识可追溯到ALD技术本身的诞生。于1974年在芬兰发明了ALD方法，并在工业上获得了专利。在高质量ALD系统设计方面拥有丰富的经验。高度敬业的Picosun人员拥有***的ALD经验，并且为ALD的许多专利做出了贡献。
PICOSUN? R系列设备提供高质量ALD薄膜的沉积技术，并在各种各样的衬底上都表现ji佳的均匀性，包括zui具挑战性的通孔的、***深宽比和颗粒等样品。我们为液体、气体和固体化学物提供的更***的，易更换的前驱源系统，能够在晶圆、3D样品和各种纳米特性的样品上生长颗粒度zui小的薄膜层。在zui基本的PICOSUN? R系列配置中可以选择多个du立的，完全分离的源入口匹配多种类型的前驱源。PICOSUN? R系列du特的扩展性使ALD工艺可以从研究环境直接过渡到生产环境的PICOSUN? P系列ALD系统。由于研发型与生产型PICOSUN?反应腔室核心设计特点都是相同的,这消除了实验室与制造车间之间的鸿沟。对大学来说,突破创新的技术转化到生产中，就会吸引到企业投资。
PICOSUN?R-200标准
PICOSUN?R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发，例如IC组件，MEMS器件，显示器，LED，激光和3D对象，例如透镜，光学器件，珠宝，硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场领dao者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的shou选工具。
敏捷的设计实现了zui高质量的ALD薄膜沉积以及系统的zui终灵活性，可以满足未来的需求和应用。专利的热壁设计具有完全du立的入口和仪器，可实现无颗粒工艺，适用于晶圆，3D对象和所有纳米级特征上的多种材料。得益于我们***Picoflow?技术，即使在zui具挑战性的通孔，***长宽比和纳米颗粒样品上也可以实现***均匀性。 PICOSUN?R-200 Standard系统配备了功能强大且易于更换的液态，气态和固态化学物质前体源。与手套箱，粉末室和各种原位分析系统集成，无论您现在的研究领域是什么，或以后可能成为什么样的研究领域，都可以进行高效，灵活的研究，并获得良好的结果。
技术指标
衬底尺寸和类型 | 50 – 200 mm /单片 |
zui大可沉积直径150 mm基片，竖直放置，10-25片/批次（根据工艺） | |
156 mm x 156 mm 太阳能硅片 | |
3D 复杂表面衬底（使用Showerhead喷洒淋浴模式效果更佳） | |
粉末与颗粒（配备扩散增强器） | |
多孔，通孔，高深宽比（HAR）样品 | |
工艺温度 | 50 – 500 °C, 可选更高温度（真空腔体外壁不用任何冷却方式即可保持温度低于60 °C） |
基片传送选件 | 气动升降（手动装载） |
预真空室安装磁力操作机械手（Load lock ） | |
前驱体 | 液态、固态、气态、臭氧源 |
4根du立源管线，zui多加载6个前驱体源 | |
对蒸汽压低的前驱体(1mbar~10mbar)，用氮气等载气dao入前驱体瓶内引出 | |
重量 | 350kg |
尺寸（ W x H x D)） | 取决于选件 |
zui小146 cm x 146 cm x 84 cm | |
zui大189 cm x 206 cm x 111 cm | |
选件 | PICOFLOW?扩散增强器，集成椭偏仪，QCM， RGA，N2发生器，尾气处理器，定制设计，手套箱集 |
成（用于惰性气体下装载）。 | |
验收标准 | 标准设备验收标准为 Al2O3 工艺 |
应用领域
客户使用PICOSUN? R系列ALD 设备在150mm和200mm（6”和8”）晶圆上所沉积薄膜厚度均匀性数据。
材料 | 非均匀性(1σ) |
AI2O3 (batch) | 0.13% |
SiO2 (batch) | 0.77% |
TiO2 | 0.28% |
HfO2 | 0.47% |
ZnO | 0.94% |
Ta2O5 | 1.00% |
TiN | 1.10% |
CeO2 | 1.52% |
Pt | 3.41% |
