| 加工定制：是 | 品牌：奥地利-EVG | 型号：EVG?850LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统 |
| 用途：键合工艺被认定为MEMS领域的标准工艺。EVG键合系统可实现阳极键合、热压键合、中间层粘着键合、 玻 | 订货号：111111 | 货号：111111 |
| 别名：键合设备 | 规格：200*180 | 是否跨境货源：否 |
EVG?850 LT
Automated Production Bonding System for SOI and Direct Wafer Bonding
EVG?850LT SOI和直接晶圆键合的自动化生产键合系统
自动化生产键合系统，适用于多种融合/分子晶圆键合应用
晶圆键合是SOI晶圆制造工艺以及晶圆级3D集成的一项关键技术。借助用于机械对准SOI的EVG850 LT自动化生产键合系统和具有LowTemp?等离子活化的直接晶圆键合，融合了熔合的所有基本步骤-从清洁，等离子活化和对准到预键合和IR检查-。因此，经过实践检验的行业标准EVG850 LT确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高通量，高产量生产工艺。
特征
利用EVG的LowTemp?等离子激活技术进行SOI和直接晶圆键合
适用于各种融合/分子晶圆键合应用 ；生产系统可在高通量，高产量环境中运行
盒到盒的自动操作（错误加载，SMIF或FOUP）； ***的背面处理
超音速和/或刷子清洁； ； 机械平整或缺口对齐的预粘合
***的远程诊断技术数据
晶圆直径（基板尺寸）100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预粘接室
对齐类型：平面到平面或凹口到凹口
对准精度：X和Y：±50 ?m，θ：±0.1°
结合力：5 N
键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活
真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件）
LowTemp?等离子激活模块
2种标准工艺气体：N2和O2，以及2种其他工艺气体：高纯度气体（99.999％），稀有气体（Ar，He，Ne等）和合成气（N2，Ar和H4含量）
通用质量流量控制器：最多可对4种工艺气体进行自校准，可对配方进行编程，流速可达到20.000 sccm
真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件），高频RF发生器和匹
配单元：清洁站；清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）； 腔室：由PP或PFA制成
清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（）。 2％浓度（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成；
旋转：3000 rpm（5 s）
清洁臂：最多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）
可选功能：ISO 3迷你环境（根据ISO 14644）； LowTemp?等离子活化室
红外检查站
EVG?850 Automated Production Bonding System for SOI
EVG?850 SOI的自动化生产粘合系统
自动化生产键合系统，适用于多种融合/分子晶圆键合应用
技术数据
SOI晶片是微电子行业有望生产出更快，性能更高的微电子设备的有希望的新基础材料。晶圆键合技术是SOI晶圆制造工艺的一项关键技术，可在绝缘基板上实现高质量的单晶硅膜。借助EVG850 SOI生产粘合系统，SOI粘合的所有基本步骤-从清洁和对准到预粘合和红外检查-都结合了起来。因此，EVG850确保了高达300 mm尺寸的无空隙SOI晶片的高产量生产工艺。 EVG850是在高通量，高产量环境下运行的生产系统，已被确立为SOI晶圆市场的行业标准。
特征
生产系统可在高通量，高产量环境中运行； 自动盒带间或FOUP到FOUP操作
***的背面处理； 超音速和/或刷子清洁
机械平整或缺口对齐的预粘合； ***的远程诊断
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）：100-200、150-300毫米
全自动盒带到盒带操作
预粘接室
对齐类型：平面到平面或凹口到凹口
对准精度：X和Y：±50 ?m，θ：±0.1°
结合力：5 N
键合波起始位置：从晶圆边缘到中心灵活
真空系统：9x10-2 mbar（标准）和9x10-3 mbar（涡轮泵选件）
清洁站
清洁方式：冲洗（标准），超音速喷嘴，超音速面积传感器，喷嘴，刷子（可选）
腔室：由PP或PFA制成（可选）
清洁介质：去离子水（标准），NH4OH和H2O2（）。 2％浓度（可选）
旋转卡盘：真空卡盘（标准）和边缘处理卡盘（选件），由不含金属离子的清洁材料制成
旋转：3000 rpm（5 s）
清洁臂：最多5条介质线（1个超音速系统使用2条线）
可选功能：ISO 3迷你环境（根据ISO 14644）； LowTemp?等离子活化室；
红外检查站
