| 加工定制：是 | 品牌：奥地利-EVG | 型号：EVG ComBond?自动化的高真空晶圆键合系统 |
| 用途：键合工艺被认定为MEMS领域的标准工艺。EVG键合系统可实现阳极键合、热压键合、中间层粘着键合、 玻 | 订货号：111111 | 货号：111111 |
| 别名：键合设备 | 规格：200*180 | 是否跨境货源：否 |
GEMINI? FB Automated Production Wafer Bonding System
GEMINI?FB 自动化生产晶圆键合系统
集成平台可实现高精度对准和熔合
技术数据
半导体器件的垂直堆叠已经成为使器件密度和性能不断提高的日益可行的方法。晶圆间键合是实现3D堆叠设备的重要工艺步骤。
EVG的GEMINI FB XT集成熔合系统扩展了当前标准，并结合了更高的生产率，更高的对准度和覆盖精度，适用于诸如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明CMOS图像传感器堆叠和芯片分割等应用。该系统具有新的SmartView NT3键合对准器，该键合对准器是专门为<50 nm的熔融和混合晶片键合对准要求而开发的。
特征
新型SmartView?NT3面对面键合对准器，晶片对晶片对准精度低于50 nm
多达六个预处理模块，例如：清洁模块、LowTemp?等离子激活模块、对齐验证模块、脱胶模块、XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现吞吐量
可选功能：脱胶模块；热压粘合模块；
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）
200、300毫米
处理模块数
6 +SmartView?NT
可选功能
脱胶模块
热压粘合模块
B
ONDSCALE? Automated Production Fusion Bonding System
BONDSCALE? 自动化生产熔合系统
启用3D集成以获得更多收益
技术数据
EVG BONDSCALE旨在满足广泛的融合/分子晶圆键合应用，包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法，例如单片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中，并帮助解决国际设备和系统路线图（IRDS）中确定的“更多摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对齐技术，与现有的熔融粘合平台相比，BONDSCALE大大提高了晶圆粘合生产率，并降低了拥有成本（CoO）。
BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动融合系统一起出售，每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理，但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用，例如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。
特征
在单个平台上的200 mm和300 mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用
通过等离子活化的直接晶圆键合，可实现不同材料，高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成
支持逻辑缩放，3D集成（例如M3），3D VLSI（包括背面电源分配），N＆P堆栈，内存逻辑，集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）200、300毫米；
数量或过程模块：8；
通量：每小时最多40个晶圆
处理系统4个装载口；
特征
多达八个预处理模块，例如清洁模块，LowTemp?等离子活化模块，对准验证模块和脱
胶模块
XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现吞吐量
光学边缘对齐模块：Xmax / Ymax = 18 ?m 3σ
